傳統鈦鋁靶材多用于PVD鍍膜，近年技術突破使其性能顯著提升。新型鈦鋁合金實現超寬溫域穩定，在-269°C至127°C保持超彈性，適用于深空探測器與液氫裝備；通過納米氧化物彌散等技術，靶材衍生涂層耐溫超900°C，可替代鎳基合金用于航空發動機；半導體級靶材純度提升至99.9999%，滿足超大規模集成電路要求。這使鈦鋁靶材從“耗材”轉變為結構-功能一體化材料。
性能突破推動鈦鋁靶材應用于高端裝備核心制造。航空航天領域，TiAlN涂層提升航空發動機葉片性能，梯度復合靶材用于高超音速飛行器熱防護；半導體與新能源方面，高純鈦靶用于芯片制造，超彈性靶材保障氫能裝備安全；生物醫療與深空探索中，高純鈦靶用于植入器械抗菌，月壤冶煉鈦鋁靶材實現地外制造閉環，靶材成為高端裝備不可或缺的核心材料。產業生態變革助力鈦鋁靶材發展。制造工藝上，寶鋼綠氫還原技術解決環保問題，梯度封接實現多功能集成；國產替代進程加快，多家企業產品通過驗證，國產份額顯著提升，同時相關標準推動性能聯動評價；全球競爭中，美國關稅倒逼國內供應鏈升級，區域產業集群形成，降低成本30%。鈦鋁靶材在性能上突破物理極限，應用上深入裝備核心，產業上重塑全球價值鏈，印證了高端制造業“材料先行”規律。未來，隨著聚變堆、腦機接口等領域需求增長，鈦鋁靶材將向“戰略級材料”躍遷，成為大國高端裝備競爭的關鍵。以下為凱澤金屬對鈦鋁合金靶材（TiAl）的成分特性、制造工藝、應用案例及前沿趨勢，將其綜合技術分析如下：
一、名義及化學成分
鈦鋁合金靶材為Ti-Al二元合金，成分按原子百分比（at%）劃分，不同比例對應差異化的相結構與用途：
| 成分比例 (Ti:Al, at%) | 相組成 | 適用工藝 | 典型應用領域 |
| 90:10 | α-Ti固溶體為主 | 熔鑄+軋制 | 船舶防腐涂層 |
| 70:30 | α?-Ti?Al + γ-TiAl雙相 | 熱等靜壓（HIP） | 航空發動機葉片 |
| 50:50 | γ-TiAl單相 | 粉末冶金 | 半導體阻擋層 |
| 30:70 | TiAl?金屬間化合物 | 反應燒結 | 高溫抗氧化涂層 |
關鍵元素作用：
Al≥30%：提升抗氧化性（800℃增重<2mg/cm2）及濺射速率；
Ti≥50%：保障延展性（延伸率>5%）及可鍛性；
雜質控制：O≤800ppm，N≤200ppm（防止濺射膜晶格缺陷）。
二、物理與機械性能
（1）基礎物理性能
| 參數 | Ti50Al50 | Ti70Al30 | 對比材料(純Ti) |
| 密度 (g/cm3) | 3.95 | 4.20 | 4.51 |
| 熔點 (℃) | 1460 | 1540 | 1668 |
| 熱導率 (W/m·K) | 12.5 | 10.8 | 21.9 |
| 電阻率 (μΩ·m) | 1.75 | 1.45 | 0.55 |
| 熱膨脹系數 (×10??/K) | 10.2 | 9.8 | 8.6 |
（2）機械性能
強度特性：Ti50Al50靶材抗彎強度≥650MPa，硬度HV 350~400；
高溫性能：Ti70Al30在750℃下抗蠕變強度達220MPa（鎳基合金的1.5倍）
脆性控制：雙相合金（如70:30）通過熱機械處理可將斷裂韌性提升至25MPa·m1/2。
三、耐腐蝕性能
海水環境：Ti70Al30在3.5% NaCl溶液中年腐蝕率<0.001mm，點蝕電位>1.2V（SCE）；
高溫氧化：Al≥40%時形成致密Al?O?膜，800℃下氧化增重<3mg/cm2（優于鎳基合金）；
酸堿腐蝕：在10% HCl溶液中，Ti50Al50腐蝕率僅為純鈦的1/5。
四、國際牌號對應
| 中國牌號 | 國際對應 | 成分偏差 |
| TiAl50 | ATI? Titan 45XD | Al含量±2% |
| TiAl70 | Plansee AG γ-TiAl | 相組成一致性≥95% |
| TiAl30 | Praxair TiAl?靶材 | 純度差異<0.5% |
注：半導體用高純靶材需符合ASTM F42標準（雜質總量≤100ppm）。
五、加工注意事項
（1）機械加工
刀具選擇：推薦山特維克CoroMill? 300硬質合金涂層刀，前角≥15°；
切削參數：轉速≤50m/min，進給量0.1mm/r，冷卻液壓力≥70Bar（防粘刀）；
防變形措施：薄壁靶材裝夾需用柔性夾具，殘余應力控制<30MPa。
（2）焊接與連接
電子束焊：真空度<5×10?3Pa，能量密度15~25kJ/cm2（防止Al揮發）；
擴散焊：850℃/40MPa/2h，界面強度達母材90%。
六、產品規格與制造工藝
（1）工業規格范圍
| 類型 | 尺寸 (mm) | 純度 | 致密度 |
| 平面靶 | 2000×1200×12（最大） | ≥99.95% | ≥99.5% |
| 旋轉靶 | Φ150×3000（管狀） | ≥99.9% | ≥98.8% |
| 異形靶 | 定制渦輪葉片型面 | ≥99.85% | ≥99.2% |
（2）核心工藝流程
熔鑄法（Ti≥50%）：
海綿鈦（0級）+ 高純Al → 真空自耗電弧熔煉（16000A，0.01Pa）→ 凝殼爐精煉 → 多向鍛造 → 熱處理。
粉末冶金法（Ti<50%）：
Ti/Al粉球磨 → 冷等靜壓（180MPa）→ 包套脫氣（10??Pa）→ 熱等靜壓（250℃/120MPa）→ 擴散退火（550℃/6h）。
七、執行標準
成分標準：GB/T 26014-2022《濺射靶材用鈦鋁合金錠》；
半導體級：SEMI F42-0708（純度≥99.999%，晶粒≤30μm）；
航空級：AMS 4992D（氧≤800ppm，疲勞強度≥400MPa）。
八、核心應用與突破案例
（1）半導體領域
凱澤金屬：開發7N級TiAl靶材，用于臺積電3nm制程銅互連阻擋層，薄膜不均勻度≤1.8%（全球領先）；
中揚金屬：超大尺寸（Φ450mm）旋轉靶突破晶粒取向控制技術，濺射速率提升30%。
（2）航空航天領域
華鈦瑞翔：全球首創一體成型Ti48Al2Cr2Nb低壓渦輪葉片，減重50%，燃油效率提升20%，用于長江CJ-1000A發動機；
普惠公司：TiAl靶材濺射渦輪葉片熱障涂層（TBC），使GTF發動機耐溫提升140℃。
（3）顯示技術
三星QD-OLED：采用Ti70Al30靶材制備陽極導電層，電阻率降至5μΩ·cm，良品率提升12%。
九、先進制造工藝進展
超純凈熔煉技術
懸浮區熔（FZ）：制備7N級TiAl，雜質O≤0.1ppm；
冷床精煉：去除高密度夾雜（HDI），靶材壽命延長3倍。
近凈成形技術
熱等靜壓+3D打?。航K華鈦實現葉片型面精度±0.05mm，材料利用率從15%提至85%。
織構調控技術
異步軋制：使Ti50Al50靶材（110）取向占比>85%，濺射膜均勻性提高至98%。
十、國內外產業化對比
| 指標 | 中國（江豐/華鈦） | 國際（ATI/Plansee） | 差距與優勢 |
| 半導體靶材純度 | 6N級（江豐） | 7N級（日礦金屬） | 差1個數量級 |
| 最大靶材尺寸 | 2000×1200mm（凱澤金屬） | 2500×1500mm（美國霍尼韋爾） | 面積小36% |
| 航空件成本 | $8,000/片（華鈦） | $15,000/片（德國MTU） | 成本低47% |
| 市場份額 | 全球12%（2024年） | 美日歐占78% | 年增速25%（國際均5%） |
中國突破點：華鈦瑞翔實現鈦鋁合金葉片“設計-制造-檢測”全鏈條國產化，設備國產化率100%。
十一、技術挑戰與前沿攻關
（1）高Al合金脆性難題
解決方案：
添加0.5%Y?O?納米顆粒，使TiAl?延伸率從0.5%提至4.2%；
激光選區熔化（SLM）原位生成TiB?增強相，抗彎強度提升至880MPa。
（2）超大靶材組織均勻性
創新工藝：
多級梯度熱軋（寶鈦）：Φ450mm靶材心表晶粒度差≤0.5級；
磁場輔助燒結（哈工大）：致密度達99.9%，能耗降40%。
十二、趨勢展望
超高純度與復合化
7N級TiAl靶材適配2nm以下芯片，需突破電子束冷床精煉技術；
TiAl/MoS?復合靶材開發，實現集成電路“導電-絕緣”一體化沉積。
綠色制造與循環利用
殘靶再生技術（江豐）：廢靶回收率>95%，成本降30%；
氫冶金還原：替代克勞爾法，海綿鈦能耗從35kWh/kg降至20kWh/kg。
新應用場景拓展
核聚變裝置：TiAl/W層狀靶材耐受第一壁1400℃中子輻照8；
太空光伏：Ti30Al70靶材濺射耐輻射薄膜，轉換效率>28%（NASA驗證）。
產業建議：建立“靶材-鍍膜設備-薄膜檢測”聯合平臺，推動半導體靶材成本降至$500/kg（當前$3000/kg）；加速航空級TiAl納入國際適航認證體系（如FAA Part 33）。
結語：
鈦鋁合金靶材正從“單一鍍膜耗材”向“高端裝備核心材料”躍遷，需在超純熔煉、跨尺度結構調控等方向持續攻關，支撐中國半導體與航空工業自主化戰略。
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