TA2高純鈦靶通過提純工藝在保留工業純鈦成本優勢的同時，提升了純度與濺射性能，成為中端工業涂層的理想選擇。其性價比顯著高于4N5級高純鈦靶，但薄膜性能（如電阻率、耐高溫性）略遜于后者。選購時需重點把控Fe、O雜質含量及晶粒均勻性，應用中需優化濺射氣體比例與基片溫度。對于要求嚴苛的半導體或光學鍍膜，仍需選用4N5級以上靶材；而在工具強化、通用防腐領域... 【詳情】

TA1高純鈦靶管通過提純工藝在保留工業純鈦成本優勢的同時，顯著提升了雜質控制水平與濺射效率，成為中端鍍膜市場的理想選擇。其性價比優于4N5級靶管，且比TA2靶管更適合要求較高的耐磨與光學應用。選購時需嚴格把控純度、幾何精度及供應商的工藝成熟度，使用中需優化濺射參數并定期維護... 【詳情】

異形鈦靶材通過定制化設計解決了復雜結構鍍膜的行業痛點，盡管初期成本與周期較高，但其在材料利用率、鍍膜精度上的優勢顯著。選購時需緊密協同設計與工藝團隊，優先選擇具備增材制造與精密加工能力的供應商，并通過小批量試制驗證可行性。在半導體3D集成、航空航天高溫涂層等前沿領域... 【詳情】

集成電路（IC）用鈦靶材是通過物理氣相沉積（PVD）工藝（如磁控濺射、離子鍍）在硅基芯片表面沉積鈦薄膜的高純度材料，主要用于導電粘附層、擴散阻擋層及接觸孔填充。其核心作用... 【詳情】

產品名稱：鈦靶塊執行標準： GB/T2695-1996，ASTM B348-97產 地：陜西寶雞材 質：Ti純 度：99.9%-99.99%晶 粒 度：<100um規格：可以按照用戶需要定制應用領域：適用電子、五金、鐘表、眼鏡、... 【詳情】

產品名稱：鈦靶材、鈦多弧靶, 鈦靶塊，鈦塊牌號：TA0，TA1，TA2，GR1，GR2執行標準：GB/T2695-1996，ASTM B348-97用途：用于半導體分離器件、平面顯示器、儲存器電極薄膜、濺射鍍膜、工件表面涂... 【詳情】