引言

濺射靶材應(yīng)用于濺射沉積工藝，可用于集成電路產(chǎn)業(yè)的高性能薄膜制備，對集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展具有重要推動作用。在應(yīng)用中需要關(guān)注的是濺射靶材的材料、制備方法、性能參數(shù)等多個方面。隨集成電路產(chǎn)業(yè)芯片產(chǎn)能的不斷提升，集成電路用靶材市場規(guī)模也呈現(xiàn)增長趨勢，但整體上看，集成電路用靶材市場仍呈現(xiàn)一定的技術(shù)壟斷特征。

1、靶材在集成電路領(lǐng)域的應(yīng)用

1.1 濺射沉積及靶材的定義與應(yīng)用

（1）濺射沉積及濺射靶材。濺射沉積（sputtering deposition） 是一種物理氣相沉積 （physical vapor deposition，PVD）工藝，即在一定的真空環(huán)境下，利用荷能粒子轟擊材料表面，使材料表面濺射出粒子并沉積在基底表面形成薄膜[1-2]。濺射薄膜沉積工藝可重復(fù)性好、膜厚可控，所制備的薄膜具有純度高、致密性好等優(yōu)點，且可用于在大面積基板材料上獲得厚度均勻的薄膜，是制備薄膜的主要技術(shù)之一[3]。被轟擊的目標材料稱為濺射靶材，是目前市場上應(yīng)用量最大的 PVD 鍍膜材料[3]。

（2）濺射靶材的應(yīng)用和分類。如表 1 所示，濺射靶材可應(yīng)用于半導(dǎo)體、平板顯示、光伏、記錄存儲等多個領(lǐng)域。就其分類：按照形狀不同，濺射靶材可分為圓形靶、矩形靶和管狀靶。按照材質(zhì)不同，濺射靶材可以分為純金屬靶材（鋁、鈦、銅、鉭等）、合金靶材（鎳鉻合金、鎳鈷合金等）、陶瓷化合物靶材（氧化物、硅化物、碳化物、硫化物等）[4]。

（3）靶材的制備方法。靶材的制備方法主要有熔煉鑄錠法、粉末冶金法等[8]。其中，熔煉鑄錠法通過熔煉鑄造坯料，經(jīng)過熱鍛、退火等工序使氣孔或偏析擴散、消失，提高組織的致密性和強度，最終通過精加工獲得靶材[8-9]。用熔煉方法制備的靶材雜質(zhì)含量較低，致密程度較好[10]，但晶粒尺寸和織構(gòu)取向均勻性較難控制，易產(chǎn)生帶狀織構(gòu)[9]，貴金屬易在熔煉過程中揮發(fā)[10] 或在機械加工中產(chǎn)生損耗。難熔貴金屬釕及其合金或熔點、密度相差較大的貴金屬復(fù)合靶材，由于采用普通熔煉法難以使成分均勻，一般采用粉末冶金法制備[10]。粉末冶金法將金屬或非金屬粉末混合均勻后，經(jīng)過壓制、燒結(jié)、退火、精加工等工序獲得靶材[9]。粉末冶金法能壓制成最終尺寸的壓坯，機械加工產(chǎn)生的損耗少，可降低成本[11]，但工藝不當時易產(chǎn)生孔隙[10]。

（4）濺射靶材性能的影響。如表 2 所示，影響靶材性能的因素有純度、晶粒尺寸、晶面取向、磁透率、致密度、焊接性能、表面質(zhì)量、形狀等多個方面，對濺射過程穩(wěn)定性、薄膜沉積速率、薄膜均勻性等濺射工藝效果產(chǎn)生影響。不同應(yīng)用領(lǐng)域?qū)τ跒R射靶材的性能具有不同要求，例如在形狀方面，集成電路領(lǐng)域一般選用圓形靶，而平板顯示面板鍍膜由于有面積大和均勻性要求，常使用長矩形靶[4]；在純度方面，半導(dǎo)體領(lǐng)域應(yīng)用對靶材性能要求最高，集成電路用貴金屬靶材的純度一般要求在 5N （99.999%） 甚至 6N（99.9999%）以上[10]等。

（5）靶材結(jié)構(gòu)。靶材主要分為單體靶材和復(fù)合靶材。其中，復(fù)合靶材由濺射靶坯和背板復(fù)合而成[12]，背板固定有助于提供較大的機械強度和導(dǎo)熱性[13]。復(fù)合靶材的靶坯與背板接合方式，主要有焊料接合（solder bonding）、擴散接合（diffusion bonding）等[14]。其中，焊料接合使用銦、錫合金等作為焊料；擴散接合不使用焊料，將靶材與背板在高溫下施加高壓，使兩種材料原子相互擴散形成鍵合。擴散接合的強度較高，但背板不能直接回收用于重復(fù)使用[14]。

1.2 靶材在集成電路產(chǎn)業(yè)的應(yīng)用

金屬靶材在集成電路工藝的主要應(yīng)用是晶圓制造及芯片封裝環(huán)節(jié)的金屬化工藝[12]。在芯片制造中，金屬化的主要應(yīng)用有制備金屬互連線、接觸層、阻擋層、粘附層等[16-17]，銅靶、鉭靶、鋁靶、鈦靶等部分金屬濺射靶材的部分應(yīng)用如表 3 所示。在芯片封裝中，金屬靶材可用于底部凸塊金屬化 （UBM）、重布線層（RDL）、硅通孔 （TSV） 等，實現(xiàn)晶圓級芯片封裝（WLCSP）、系統(tǒng)級封裝（SIP）等高密度封裝集成[18]。

陶瓷化合物靶材在集成電路工藝中可用于制備柵極電介質(zhì)膜等，例如鉿基氧化物在柵極高介電薄膜制備中的應(yīng)用[20] 等。

在市場應(yīng)用環(huán)節(jié)，由于芯片制造商對靶材性能要求較高，集成電路用靶材產(chǎn)品存在一定的認證壁壘。芯片制造企業(yè)對靶材供應(yīng)商的認證一般需要 2至 3 年以上，且不同制造企業(yè)的認證方式有所不同。

例如日本、韓國制造企業(yè)需要由其本國中間商進行間接供應(yīng)，英特爾的靶材供應(yīng)商需要通過應(yīng)用材料公司的推薦，臺積電的靶材供應(yīng)商需要通過其客戶的認可等[15]。所以，較為復(fù)雜的認證過程一定程度上影響了新進靶材制造企業(yè)產(chǎn)品進入市場，使靶材行業(yè)存在一定的市場壁壘。

2、全球集成電路用靶材行業(yè)情況

2.1 市場規(guī)模

據(jù)統(tǒng)計[21]，晶圓制造材料中濺射靶材約占芯片制造材料市場 2.6%，封裝測試材料中濺射靶材約占封裝材料市場 2.7%。據(jù)報道[22]，SEMI（國際半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會）預(yù)計 2022 年全球晶圓材料市場為 451 億美元、全球封裝材料市場為 248 億美元[22]。據(jù)此計算可得，2022 年全球半導(dǎo)體用濺射靶材市場規(guī)模預(yù)計約為 18.43 億美元，其中晶圓制造用濺射靶材市場約11.73 億美元，占比約 63.7%；封裝測試用濺射靶材市場約 6.70 億美元，占比約 36.3%。結(jié)合 2017-2021年全球市場規(guī)模情況[21]，可得近年全球半導(dǎo)體晶圓制造及封裝測試用濺射靶材市場規(guī)模增長變化情況如圖 1 所示。

2.2 集成電路用靶材主要供應(yīng)商

據(jù)統(tǒng)計[4]，如圖 2 所示，全球濺射靶材市場呈現(xiàn)寡頭壟斷格局，JX 金屬、霍尼韋爾、東曹、普萊克斯等美國、日本企業(yè)擁有核心技術(shù)和完整產(chǎn)業(yè)鏈，在全球市場份額占比分別約為 30%、20%、20%、10%，合計占據(jù)約全球 80%的市場份額[4]。

2.2.1 日本 JX 金屬

JX 金屬株式會社 （JX Nippon Mining & Metals Corporation）成立于 1905 年，是全球最大的靶材供應(yīng)商，其生產(chǎn)的半導(dǎo)體芯片用鉭靶、銅靶、存儲器用鎢靶等市場占有率為全球第一[15]，曾在全球半導(dǎo)體銅靶材供應(yīng)市場占比 80%以上，處于領(lǐng)先地位[23]。JX金屬主要從事有色金屬資源的開采與制造、電解及壓延銅箔制造、精密壓延制品制造、精密加工，以及靶材、表面處理劑、化合物半導(dǎo)體材料等領(lǐng)域。企業(yè)生產(chǎn)半導(dǎo)體、平板顯示、光伏電池、磁性設(shè)備、光學(xué)薄膜等產(chǎn)業(yè)用先進靶材，以及銅、銀、鋁、銦、鎘、碲等高純金屬。

2.2.2 美國霍尼韋爾

美國霍尼韋爾 （Honeywell） 公司成立于 1885年，提供行業(yè)定制的航空產(chǎn)品和服務(wù)、樓宇和工業(yè)控制技術(shù)、以及特性材料。生產(chǎn)的電子材料包括超高純化學(xué)品、高純金屬、電氣互聯(lián)材料、貴金屬熱電偶、靶材等。其中高純金屬有鈦、鈷、銅、鋁、鎳等。霍尼韋爾等徑角塑型（ECAE）專利技術(shù)是霍尼韋爾最初為鋁和鋁合金靶材研發(fā)的先進工藝，使用該工藝生產(chǎn)的銅錳合金等靶材的超細晶粒尺寸可達亞微米級，具有優(yōu)越的性能[24]。霍尼韋爾的高純鈦靶材市場占有率為全球第一，芯片用銅靶市場占有率為全球第二[15]。

2.2.3 日本東曹

日本東曹公司（Tosoh Corporation）成立于 1935年，主營工業(yè)化學(xué)品和特殊材料，涉及石化、建筑、消費電子、信息技術(shù)等領(lǐng)域，產(chǎn)品有石英制品及濺射靶材等。日本東曹有高純金屬、金屬合金、金屬陶瓷、陶瓷等不同材質(zhì)及純度的靶材產(chǎn)品，可用于生產(chǎn)半導(dǎo)體、磁記錄、熱敏打印頭、平板顯示和薄膜電阻器等，可支持的晶圓尺寸為小于 6 英寸至 18 英寸，生產(chǎn)多種高純金屬粉末，以鈦和鈦合金為代表。其存儲器芯片用鎢靶市場占有率為全球第二[15]。

2.2.4 美國普萊克斯

美國普萊克斯（Praxair）公司成立于 1907 年，是全球最大的工業(yè)氣體生產(chǎn)商之一，從事工藝氣體、特種氣體和高性能表面涂料等領(lǐng)域，生產(chǎn)有金屬粉末、電子級陶瓷、熱噴涂粉末、電線等。公司生產(chǎn)高純度濺射靶材及激光燒蝕靶材，有 1 英寸至 14 英寸圓形，以及最大至 5 英寸寬、11 英寸長的不同尺寸靶材。靶材產(chǎn)品分有細晶粒、長使用壽命等類型，用于半導(dǎo)體、平板顯示、光伏等領(lǐng)域。其芯片用鈦靶市場占有率為全球第二[15]。

3、結(jié)語

濺射靶材是集成電路領(lǐng)域核心材料，直接影響集成電路產(chǎn)業(yè)的生產(chǎn)能力和技術(shù)革新。隨集成電路特征尺寸不斷縮小以及芯粒（Chiplet）等新興技術(shù)領(lǐng)域發(fā)展，濺射靶材不僅將持續(xù)向多材質(zhì)、高純度和高利用率等方向發(fā)展，靶材制備工藝以及上游高純金屬、濺射設(shè)備的開發(fā)也都將成為關(guān)注重點。

參考文獻

[1] 劉瑞鵬, 李劉合. 磁控濺射鍍膜技術(shù)簡述[J]. 中國青年科技, 2006（08）:56-59

[2] 楊文茂, 劉艷文, 徐祿祥等. 濺射沉積技術(shù)的發(fā)展及 其現(xiàn) 狀 [J]. 真 空科 學(xué)與 技術(shù) 學(xué) 報, 2005（03）:204-210

[3] https://zhuanlan.zhihu.com/p/610622927

[4] https://zhuanlan.zhihu.com/p/535980664

[5] 王大勇, 顧小龍. 靶材制備研究現(xiàn)狀及研發(fā)趨勢[J]. 浙江冶金, 2007（4）:9

[6] 魏修宇. 半導(dǎo)體用高純鎢靶材的制備技術(shù)與應(yīng)用[J]. 硬質(zhì)合金, 2017, 34（05）:353-359

[7] http://www.szse.cn/disclosure/listed/bulletinDetail/index.html?af096838-1315-4d82-9d55-83c25e1c6b3f

[8] 徐飛, 布國亮, 楊萬朋等. 磁控濺射用高純鉻靶材的研究現(xiàn)狀及發(fā)展趨勢[J]. 鑄造技術(shù), 2020, 41（12）:1197-1200

[9] 鄭金鳳, 扈百直, 楊國啟等. 高純鉭濺射靶材制備工藝進展[J]. 湖南有色金屬, 2016, 32（04）:54-56+80

[10]許彥亭,郭俊梅,王傳軍等.貴金屬濺射靶材的研究進展[J].機械工程材料,2021,45（08）:8-14+102.

[11] https://www.360powder.com/info_details/index/779.html

[12] 何金江, 萬小勇, 周辰等. 半導(dǎo)體用高利用率長壽命濺射靶材的研制[J]. 半導(dǎo)體技術(shù), 2014, 39（01）:71-77

[13] http://www.nexteck.com/tco/161-en.html

[14] https://www.umat.com.tw/index.php/products/coating/bonding

[15] 張衛(wèi)剛, 李媛媛, 孫旭東等. 半導(dǎo)體芯片行業(yè)用金屬濺射靶材市場分析[J]. 世界有色金屬, 2018, No.502（10）:1-3

[16] 張淵主編. 半導(dǎo)體制造工藝[M]. 北京：機械工業(yè)出版社, 2015.8

[17] 戴超倫, 劉亞, 趙旸. 鉻粘附層對金 / 二氧化硅界面 熱 導(dǎo) 影 響 研 究 [J]. 應(yīng) 用 激 光 , 2018, 38（06）:968-974

[18] 何金江, 賀昕, 熊曉東等. 集成電路用高純金屬材料及高性能濺射靶材制備研究進展 [J]. 新材料產(chǎn)業(yè), 2015, No. 262（09）:47-52

[19] 劉文迪. 集成電路用鎢濺射靶材制備技術(shù)的研究進展[J]. 中國鎢業(yè), 2020, 35（01）:36-41

[20] 吳智華, 蔣丹宇, 張騁. 陶瓷濺射靶材的發(fā)展與應(yīng)用[J]. 陶瓷科學(xué)與藝術(shù), 2004（01）:43-47

[21] https://baijiahao.baidu.com/s?id=1757713198966251167&wfr=spider&for=pc

[22] https://baijiahao.baidu.com/s?id=1743200163460260864&wfr=spider&for=pc

[23] https://xueqiu.com/7743655442/234436457

[24] 霍尼韋爾推出新型半導(dǎo)體銅錳濺射靶材 [J]. 電子設(shè)計工程, 2014, 22（07）:4

作者簡介

侯潔娜，中國電子信息產(chǎn)業(yè)發(fā)展研究院集成電路研究所咨詢顧問。

陳穎，中國電子信息產(chǎn)業(yè)發(fā)展研究院集成電路研究所咨詢顧問。

趙聰鵬，中國電子信息產(chǎn)業(yè)發(fā)展研究院集成電路研究所設(shè)備材料研究室副主任。

劉超，中國電子信息產(chǎn)業(yè)發(fā)展研究院集成電路研究所產(chǎn)教融合研究室主任。

黃潤坤，中國電子信息產(chǎn)業(yè)發(fā)展研究院集成電路研究所咨詢顧問。

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